








鼎芯股份有限公司,专注电源领域12年!
供应MBR30150PT肖特基二极管详细参数规格
内部芯片类型:俄罗斯Mikron芯片
品牌:ASEMI
最大正向整流电流Io:30A
最大反向耐压PRV: 150V
正向压降VFM:0.82V
正向峰值电流:200A
工作温度范围:-50°C to +125°C
封装形式:TO-247
MBR30150PT肖特基二极管相关型号:MBR30200PT、MBR30100PT、MBR3060PT









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内部芯片类型:俄罗斯Mikron芯片
品牌:ASEMI
最大正向整流电流Io:30A
最大反向耐压PRV: 150V
正向压降VFM:0.82V
正向峰值电流:200A
工作温度范围:-50°C to +125°C
封装形式:TO-247
MBR30150PT肖特基二极管相关型号:MBR30200PT、MBR30100PT、MBR3060PT
MBR60200PT中文资料参数书 肖特基MBR1060CT规格参数书 MBR1040FCT肖特基二极管参数规格书下载 ASEMI整流桥KBJ3508中文资料 QL5010整流桥规格书,ASEMI品牌 MURF1660CT超快恢复二极管参数规格书下载 ASEMI品牌KBPC3510中文资料 ASEMI品牌RS506规格书 MBR60150PT中文资料参数书 超快恢复MUR1040CT规格参数书