DB157S贴片整流桥 ASEMI 12年大品牌
摘要 : DB157S,DBS-4封装,采用了4个55MIL的GPP芯片,是一款薄贴片整流桥堆,也称为迷你整流桥。它的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成,芯片尺寸都是55MIL。
整流桥DB157S电性参数介绍
采购节来临之际,为大家推出我们的小桥堆代表--DB157S。DB157S是一款薄迷你贴片封装,体积小,节省空间。一般比较常用于对体积要求比较严格的电子产品中,比如手机充电器,LED灯饰等。
DB157S,DBS-4封装,采用了4个55MIL的GPP芯片,是一款薄贴片整流桥堆,也称为迷你整流桥。它的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成,芯片尺寸都是55MIL。它的电性参数是:正向电流(Io)为1.5A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,恢复时间(Trr)达到500ns,有4个引脚。
DB157S尺寸参数介绍
接下来,我们一起来看一下DB157S的尺寸参数,它的本体宽度为6.35mm,整体宽度为7.62mm,长度为8.32mm,高度为2.35mm,脚间距为5.1mm,脚宽度为1.01mm,脚位距离为10.4mm,具体尺寸参数详解如下图所示:
DB157S,采用激光印字打标方式,不易褪色。强元芯12年品质如一日,选择强元芯,让您更放心。
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