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ASEMI DB157芯片GPP工艺制造,品质稳定

文章出处:鼎芯实业(深圳)有限公司文章编辑:王东人气:-发表时间:2016-11-02 00:00:00【
摘要 : ASEMI DB157芯片GPP工艺制造,品质稳定



整流桥DB157 采用的是GPP工艺大芯片!ASEMI给您高质量产品


DB157芯片工艺及参数详解

采用高纯度无氧铜引脚,导电性能,加厚强度高。它的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成,芯片尺寸都是55MIL。它的电性参数是:正向电流(Io)为1.5A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,恢复时间(Trr)达到500ns,其中有4条引线。




外观尺寸与塑封材料介绍


DB157插件封装系列小方桥,它的本体宽度为6.35mm,整体宽度为7.62mm,长度为8.32mm,高度为2.35mm,脚间距为5.1mm,脚宽度为0.52,脚位距离为8.25mm。


ASEMI DB157


ASEMI电源整流用整流桥采用GPP大规格大芯片为基材,耐压抗高温性能高于普通GPP芯片。黑胶部分采用环氧塑脂材质一次性浇铸成型,其包封性和阻燃性能高于普通包封材料且色泽亮丽。桥堆本身框架是以高纯度无氧铜为材料,具有高抗弯曲、抗弯曲和高导电性能,使用时间远超标准。




ASEMI之所以能成为受欢迎的浙江电源用整流桥厂家,是有原因的。一,ASEMI半导体三大系列产品型号全;二,12年的研发生产经验,原装原厂工艺,众多新产品与众不同;就如整流桥系列,ASEMI采用GPP大芯片为核心,耐压性能和使用时间大大增强。





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